Podatkovni list MOSFET nizke moči 200mA, 60 voltov

Prispevek pojasnjuje glavne specifikacije in izrezke majhnega signalnega N-kanalnega MOSFET-a 2N7000G z majhno močjo.

Mosfets vs BJT

Ko govorimo o mosfet-ih, ga običajno povežemo z visokotokovnimi, visokonapetostnimi in visokozmogljivimi aplikacijami.

Tako kot običajni BJT-ji so na voljo tudi majhni signalni mosftes, ki se lahko uporabljajo enako učinkovito kot njihovi BJT-kolegi.

MOSFET-i so priljubljeni zaradi izjemno zmogljivih zmogljivosti, ki pa so manjše glede na njihove splošne dimenzije.

Za razliko od BJT-jev bi mosfets obvladovali velike tokove in napetosti, ne da bi se sami povečali in ne vključevali vmesnih stopenj medpomnilnika ali močnostnih stopenj gonilnikov.

Kako se Mosfet sproži

Največja prednost uporabe mosfet-a je v tem, da ga je mogoče sprožiti po želji za delovanje dane obremenitve ne glede na tok pogona vrat.

Zgornja funkcija omogoča, da se mosfet-ovi sprožijo neposredno iz virov nizkega toka, kot so izhodi CMOS ali TTL, brez potrebe po stopnjah medpomnilnika, kar je velika razlika v primerjavi z BJT-ji.

Zgornja lastnost velja tudi za majhne signalne MOSFET-je, ki jih je mogoče neposredno nadomestiti z majhnimi signalnimi BJT-ji, kot je BC547, za doseganje veliko učinkovitejših rezultatov. Eden takih majhnih podatkovnih listov MOSFET-ov, specifikacija je obravnavana tukaj.

To je N-kanalni 2N7000G MOSFET, ki je običajno primeren za majhne signalne aplikacije v območju od 200mA do 60V.

Upor stanja stanja na odtočnem in izvornem priključku je običajno približno 5 ohmov. Glavne značilnosti tega majhnega signalnega mosfet-a z nizko močjo so navedene spodaj:

Glavne električne lastnosti:

Odtok do napetosti vira Vdss = 60V DC Vhod do napetosti izvora Vgs = +/- 20V DC, +/- 40V DC vrh, ki se ne ponavlja, ne več kot 50 mikrosekund Odtočni tok Id = 200mA DC neprekinjeno, 500mA impulzno

Skupna odvajanje moči Pd pri Tc = 250 C (temperatura priključka) = 350 mW Izvlečke in podrobnosti o paketu si lahko ogledate tukaj: